EVG單面/雙面掩模對準光刻機介紹：
EVG®610 單面/雙面掩模對準光刻機是一款緊湊型多功能研發(fā)系統(tǒng)，可處理零碎片和大200 mm的晶圓。
EVG®610 單面/雙面掩模對準光刻機（ 微流控 納米壓?。┲С指鞣N標準光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對準方式。此外，該系統(tǒng)還提供其他功能，包括鍵合對準和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿足不斷變化的用戶需求，轉(zhuǎn)換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念適合初學者到專家級各個階層用戶，非常適合大學和研發(fā)應(yīng)用。
應(yīng)用：
MEMS，RF器件，功率器件，化合物半導體等方面的圖形光刻應(yīng)用。
EVG單面/雙面掩模對準光刻機特征
1、晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸
2、頂部和底部對準功能
3、高精度對準
4、自動楔形補償序列
5、電動的和程序控制的曝光間隙
6、支持先進的UV-LED技術(shù)
7、小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求
8、分步流程指引
9、遠程技術(shù)支持
10、多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同語言)
11、敏捷的處理和轉(zhuǎn)換重新加工
12、臺式或獨立式帶防振花崗巖臺面
附加功能：
1.鍵合對準
2.紅外對準
3.納米壓印光刻(NIL)
【技術(shù)參數(shù)】
1.掩模版-基板-晶圓尺寸
掩模版尺寸：5寸/7寸/9寸
基片/晶圓尺寸：100mm/150mm/200mm
晶圓厚度：高達10mm
2.對準模式
頂部對準精度：≤ ± 0,5 µm
底部對準精度：≤ ± 2,0 µm
紅外對準模式：≤ ± 2,0 µm/取決于基片的材料
3.頂部顯微鏡
移動范圍1：100mm(X軸：32-100mm；Y軸：-50/+30mm；)
移動范圍2：150mm(X軸：32-150mm；Y軸：-75/+30mm；)
移動范圍1：200mm(X軸：32-200mm；Y軸：-100/+30mm；)
可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環(huán)形燈的暗場物鏡，可以增加對比度
4.底部顯微鏡
移動范圍1：100mm(X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；)
移動范圍2：150mm(X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；)
移動范圍1：200mm(X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；)
可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環(huán)形燈的暗場物鏡，可以增加對比度
5.曝光器件
(1)波長范圍：
NUV：350 - 450 nm
DUV：低至200 nm (可選)
(2)光源：
汞燈350W , 500W UV LED燈
(3)均勻性：
150mm：≤ 3%
200mm：≤ 4%
(4)濾光片：
汞燈：機械式
UV LED：軟件可調(diào)
6.曝光模式
接觸：硬、軟接觸，真空
曝光間隙：1 - 1000 µm
線寬精度：1µm
模式：CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
可選：內(nèi)部，浸入，扇形
7.可選功能
鍵合對準精度：≤ ± 2,0 µm
納米壓抑光刻(NIL)精度：≤ ± 2,0 µm
納米壓抑光刻(NIL)軟印章分辨率：≤ 50 nm圖形分辨率
8.設(shè)施
真空：< 150 mbar
壓縮氣體：6 bar
氮氣：可選2或者6 bar
排氣要求：汞燈需要；LED不需要
9.系統(tǒng)方式
系統(tǒng)：windows
文件分享和軟件備份
無限程序儲存，參數(shù)儲存在程序內(nèi)
支持多語言，含中文
實時遠程支持，診斷和排除故障
10.楔形補償
全自動- 軟件控制
11.規(guī)格(單面/雙面光刻機 微流控加工 掩模對準)
占地面積：0.55m2
高度：1.01m
重量：約250kg
納米壓印分辨率：≤ 40 nm(取決于模板和工藝)
支持工藝：Soft UV-NIL
產(chǎn)品型號：EVG610